Die Entwicklung der auf Galliumnitrid-Halbleitern basiere...
III-Nitrid-Halbleiter, insbesondere die auf GaN basierenden Materialien, einschließlich des binären GaN und verwandter Legierungen mit InN und AlN, wie das ternäre AlGaN und InGaN sowie das quaternäre InAlGaN, wurden in den letzten Jahren wegen ihrer potenziellen Anwendungen für optoelektronische Geräte, die im kurzwelligen Spektralbereich arbeiten, und für elektronische Geräte mit hoher Leistung und hoher Temperatur intensiv untersucht. Materialien auf GaN-Basis ...